Разработка гибридной интегральной микросхемы частного применения.

Разработка гибридной интегральной микросхемы частного применения.

Тип работы: 
Курсовая
Предмет: Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Год выполнения: 
2010
Объем: 
29
Цена: 
700руб.
№ работы: 1193
Дополнительная информация: 
С приложением.

Введение 3
1. Анализ исходных данных и конструктивно-технологических особенностей построения ГИС 5
1.1. Анализ исходных данных 5
1.2. Выбор технологии для производства микросхемы 6
2. Расчёт плёночных элементов и выбор компонентов ГИС 8
2.1. Выбор материала подложки 8
2.2. Выбор материала резисторов 8
2.3. Расчёт плёночных резисторов 9
2.4. Расчёт плёночного конденсатора 16
2.5. Выбор навесных компонентов 18
3. Разработка топологии ГИС 20
3.1. Расчёт площади подложки 20
3.2. Выбор подложки и корпуса ГИС 20
3.3. Описание слоёв платы 21
Заключение 28
Литература 29
Приложение 1. Схема принципиальная электрическая.
Приложение 2. Перечень элементов.
Приложение 3. Сборочный чертёж платы.
Приложение 4. Чертёж резисторов.
Приложение 5. Чертёж соединительных дорожек и контактных площадок.
Приложение 6. Чертёж нижней обкладки конденсаторов.
Приложение 7. Чертёж диэлектрика конденсатора.
Приложение 8. Чертёж верхней обкладки конденсатора.

Сегодня всё большее внимание уделяется уменьшению массогабаритных характеристик и повышению надёжности электронных устройств. В свете этого очень важным представляется широкое использование интегральных микросхем в конструкции электронных приборов.
Разработка интегральных микросхем (ИМС) является сложным процессом, требующим решения различных научно-технических проблем. Выбор конкретного технологического воплощения ИМС зависит от схемотехнического решения функционального элемента, представляющего ИМС, возможностей и ограничений, присущим различным технологическим процессам изготовления, программы выпуска и типа производства. Эти вопросы решают путем выбора одного из трех классов микросхем — полупроводниковых, пленочных или гибридных. Каждый из этих классов может иметь различные варианты структур, любая из которых, с точки зрения проектирования и технологии изготовления, обладает определенными преимуществами и недостатками. Одним из классов микросхем являются гибридные интегральные микросхемы (ГИС).
Гибридные ИМС — это интегральные схемы, в которых применяются пленочные пассивные элементы и навесные элементы (резисторы, конденсаторы, диоды, оптроны, транзисторы), называемые компонентами гибридных ИМС. Электрические связи между элементами и компонентами осуществляются с помощью пленочного или проволочного монтажа. Реализация функциональных элементов в виде гибридных ИМС экономически целесообразна при выпуске малыми сериями специализированных вычислительных устройств и другой аппаратуры. В этих случаях заводами-изготовителями выпускаются гибридные ИМС частного применения, необходимость которых определяется особыми требованиями к их электрическим параметрам, характеристикам и конструкциям
Целью данной работы является изучение процесса разработки ГИС. Для достижения поставленной цели в работе будут решены следующие задачи:
– анализ исходных данных и конструктивно-технологических особенностей построения ГИС;
– выбор материалов, расчёт плёночных элементов и выбор компонентов ГИС;
– разработка топологии ГИС.

С целью изучения современных технологий разработки гибридных интегральных схем (ГИС) в данной работе были выполнены следующие задачи:
1. Анализ исходных данных и конструктивно-технологических особенностей построения ГИС.
В ходе анализа были выявлены граничные параметры работы схемы, такие как:
– рабочая температура;
– допуски на элементы схемы;
– тип технологии, которую нужно использовать для изготовления схемы.
2. Выбор материалов, расчёт плёночных элементов и выбор компонентов ГИС, в процессе которого:
– был выбран материал подложки;
– в качестве материала для изготовления плёночных резисторов была выбран кермет К-20С, а также рассчитаны их геометрические размеры;
– в качестве диэлектрика плёночного конденсатора было выбрано боросиликатное стекло, а также рассчитаны его геометрические;
– был выполнен выбор навесных компонентов ГИС — транзисторов.
3. Разработка топологии ГИС, в процессе которой были выполнены следующие подзадачи:
– уточнены размеры подложки;
– определено количество слоёв на подложке;
– выбран соответствующий размерам подложки корпус микросхемы;
– выполнена разводка топологии слоёв подложки.

Разработка гибридной интегральной микросхемы частного применения.
+7

Вертикальные вкладки